2020年 04月 08日 星期三
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半导体行业(细分领域芯片、设备材料)深度报

来源:未知     作者:威廉希尔     发布时间:2020-04-08 12:22         

  国内半导体行业市场规模快速增长,但需求供给严重不平衡,高度依赖进口,国产核心芯片自给率不足10%。

  AI芯片主要包括GPU、FPGA、ASIC三种技术线,分为云端训练芯片、云端推理芯片和边缘推理芯片

  • 在移动终端设备稳定出货的背景下,随着通信网络向5G升级,射频器件的数量和价值量都在增加,射频前端芯片行业的市 场规模将持续快速增长,从2010年至2018年全球射频前端市场规模以每年约13.10%的速度增长,到2020年接近190亿美元

  • 射频前端各组件增速不同。滤波器作为射频前端最大的细分市场,市场空间将从2018年的80亿美元增长到2023年的225亿美元,年增长率19%,这一增长主要来自高质量BAW滤波器的渗透;PA的市场空间将会从50亿美金增长到70亿美金,年增 长率7%,主要是高端和超高频段PA市场的增长,将弥补2G/3G市场的萎缩

  • 目前,射频前端市场集中度高,国外厂商占据了绝大部分的市场份额,贸易战带来的国产化需求是国频厂商最大 的机会

  • 射频前端的集成化使得未来收购、并购成为资本重要的退出手段,收购、并购也是芯片企业做大做强的途径之一

  • 随着相关的通信标准的落地、通信和云计算技术的发展,物联网已从最初的导入期进入 现在的成长期

  • 从产业链传导的角度看,物联网将从“快速联网”到“规模联网+应用服务”,具有通 用性以及与物联网连接相关的上游产业链环节将最先受益,包括通信芯片、传感器、无线模组等

  高端(高速率、高功率)光芯片行业进入壁垒高、投入大、周期长、难度大,尤其是芯片的材料生长、芯片设计、芯片工 艺制程、芯片封装等是光芯片研发与制造的核心

  第三代半导体材料主要包括SiC、GaN、 金刚石等,因其禁带宽度≥2.3电子伏 特(eV),又被称为宽禁带半导体材 料;第三代半导体材料具有高热导率、 高击穿场强、高饱和电子漂移速率、 高键合能等优点,满足现代电子技术 对高温、高功率、高压、高频、抗辐 射等恶劣条件的新要求

  • 射频器件是无线通信设备的基础性零部件,在无线通信中负责电磁信号和数字信号的转换和接收与发送,是无线连接的 核心

  • 过去十年来,国防应用一直是推动GaN技术发展的主要驱动力,现在这些技术正在从军用转向商用 • 由于高频性能优异,未来大部分Sub-6GHz以下宏基站都将采用GaN器件,2019年至2021年为5G基础设施建设的关键期,也将是氮化镓器件替换LDMOS的关键期

  • MEMS (Micro Electromechanical System)即微机电系统,是将微电子与精密机械结合发展起来的工程技术,尺寸在 1 微 米到 100 微米量级,采用了集成电的先进制造工艺,和传统产品相比,MEMS 具有微型化、产能高、可大批量生产、 成本低等优势

  • MEMS技术广泛应用于各种传感器芯片,核心功能是把物理信号转换为电子设备能够识别的电信号,是人工智能、物联 网、大数据等新一代信息技术的基础和数据来源,MEMS在生物、光学、射频、机械等领域也有重要的应用

  • 产品在精度和度等性能指标上与国外存在很大的差距,应用领域正从手机、汽车VR/AR、物联网

  半导体材料市场更细分,单一产品的市场空间很小,少有纯粹的半导体材料公 司;半导体材料往往只是某些大型材料厂商的一小块业务,例如陶氏化学公 司,杜邦,三菱化学,住友化学等公司,半导体材料业务只是其电子材料事业 部下面的一个分支;尽管如此,由于半导体工艺对材料的严格要求,就单一半 导体化学品而言,仅有少数几家供应商可以提供产品

  硅片巨头集中在日本、韩国、、 中国;中国仅有少数几家企 业具备8英寸半导体硅片的生产能 力,而12英寸半导体硅片主要依靠进口

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