2020年 06月 15日 星期一
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43 Flash闪存编程原理与步骤

来源:未知     作者:威廉希尔     发布时间:2020-06-15 09:27         

  一般,在单片机中的Flash存储器用于存放程序代码,属于只读型存储器。而在MSP430些列的单片机中,都可以通过内置的Flash控制器擦除或改写任何一段的内容。另外,msp430的单片机内部还专门留有一段Flash区域(information memory),用于存放掉电后需要永久保存的数据。利用430内部的Flash控制器,可以完成较大容量的数据记录、用户设置参数在掉电后的保存等功能。硬件介绍:要对Flash读写,首先要了解MSP430的存储器组织。430单片机的存储器组织结构采用冯诺依曼结构,RAM和ROM统一编址在同一寻址空间中,没有代码空间和数据空间之分。一般430的单片机都统一编址在0-64k地址范围中,只有少数高端

  MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段,其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节,其他段有512字节。SegmentB的地址是:0x01000h到0x107F,SegmentA的地址是:0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根据容量不同,从0xFFFFh开始,每512字节为一段进行分配。FLASH存储器写入数据时,每一位只能由“1”变成“0”,不能由“0”变成“1“,因此,当我们有数据要保存到FLASH存储器时,要先对目标段进行整段擦除操作,擦除操作使的对应段FLASH存储器变成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序,配置好必要的寄存器后,向段中任意地址写入

  1 Msp430Flash型单片机内部Flash存储器介绍MSP430的Flash存储器是可位、字节、字寻址和编程的存储器。该模块由一个集成控制器来控制编程和擦除的操作。控制器包括三个寄存器,一个时序发生器及一个提供编程、擦除电压的电压发生器。Msp430的Flash存储器的特点有:1)产生内部编程电压2)可位、字节、字编程,可以单个操作,也可以连续多个操作3)超低功耗操作4)支持段擦除和多段模块擦除2 Flash存储器的分割Msp430 Flash存储器分成多个段。可对其进行单个字节、字的写入,也可以进行连续多个字、字节的写入操作,但是最小的擦除单位是段。Flash存储器被分割成两部分:主存储器和信息存储器,两

  与大部分的MCU相同,MPC5744P的Flash、RAM以及外设都映射到内存地址中了。以下为映射地址范围:Flash有几种分类方式。方式一:EEPROM、Small、Medium、Large Flash。方式二:Low、Medium、High、First256K、Second256K。其中上述方式二涉及到Lock与Select,关系到Flash的擦除和编程。MPC5744P Flash编程:MPC5744P数据存储为字节模式,即32位数据存储会占用4个地址。对Flash编程时,需要多个步骤:1、解锁对应的Block2、选择对应的Block3、擦除对应的Block4、编程对应的Block5、加锁对应的BlockBlock对应

  产品的研发设计和销售,专注于NOR Flash和EERPOM两大非易失性存储器业务,致力于成为新型应用领域中小容量非易失性存储器的产品和服务提供商。集微点评:国内NOR Flash厂商很多,因为大家都是Fabless,差异化竞争很难,相信未来巨头像兆易肯定会走进IDM模式。台媒:Skyworks墨西哥厂停工,手机品牌厂或将转单IC设计公司据台媒报道,全球三大射频器件厂商之一的思佳讯(Skyworks)位于墨西哥的工厂因防疫政策,从4月10到30日闭厂。业内人士指出,中国砷化镓晶圆代工厂受惠去美化效应,拿到约占总产能三成的订单,不过有约七成仍归美系如Skyworks、Qorvo等。集微点评:Skyworks工厂停工固然有

  上一篇文章主要学习了NAND Falsh的基础知识,今天则来总结NAND Flash的初始化,以及块擦除,页的读写操作,以及芯片id号的获取。6. NAND FLASH 的操作接口我们知道,函数在调用时需要使用栈,当项目的函数调用关系复杂时,尤其是存在多级函数调用时,容易导致栈溢出,此处函数调用的开销也会逐渐加大。为了更好的解决上述问题,一般使用宏的形式来实现规模较小的函数,因为宏调用时在预处理阶段,由预处理器对源程序中的宏进行展开,所以宏展开不占用运行时间。因为每一次宏调用都需要进行宏展开,所以会加大程序的代码量,因此规模较大的函数不宜使用宏的形式来实现① NAND FLASH 使能函数#define NF_Enable

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