2020年 10月 16日 星期五
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基于C8051F023单片机的软件注入的技术措施和实现

来源:未知     作者:威廉希尔     发布时间:2020-10-16 13:35         

  技术发展的里程碑,它的诞生标志着计算机正式形成了通用计算机系统和嵌入式计算机系统两大分支。近年来,计算机理论研究、半导体工艺和超大规模

  嵌入式系统是以应用为中心,以计算机技术为基础,软件硬件可裁剪,适用于系统对功能、可靠性、成本、体积、功耗有严格要求的专用计算机系统,是一种软硬件高度结合的产物,其系统功能实现的关键在于经过高效率设计的各类应用软件。和通用计算机软件不同,嵌入式系统中的软件一般都固化在只读存储器中,而不是以磁盘为载体可以随意更换,所以嵌入式系统的应用软件和嵌入式产品一样都具有较长的生命周期。另外,各个行业的应用系统和产品很少发生突然性的跳跃,嵌入式系统中的软件也因此更强调可继承性和技术衔接性,发展比较稳定。以上两点使得基于原有的硬件平台即可完成嵌入式系统的软件升级,从而节省用户的成本,提高系统供应商的产品竞争力和服务效率。软件注入就是能够实现这种软件升级方式的技术之一。

  就嵌入式系统而言,软件注入是指将嵌入式系统中的软件模块使用在线可编程存储器存储,可在需要时通过外部注入设备的注入技术。它十分有利于机电一体化产品等需要严密封装的嵌入式系统的软件升级和完善。

  在各类嵌入式计算机中,微控制器MCUMicro Controller Unit)以其低功耗、高可靠性、片内外设资源丰富且易于扩展的优势而成为各种控制应用的主流,这种用于控制的嵌入式系统也大量而广泛地应用于各个领域。由于结构特点、运算速度增快和存储容量增大,使得单片MCU不仅用于控制,也逐步用于各类运算等应用,因此在嵌入式系统中针对MCU的软件注入应用最为普遍,也最具代表意义。下面将讨论基于C8051F023的软件注入的实现。

  要想实现软件注入,嵌入式系统所采用的MCU必须具有在系统可编程能力,即程序存储器支持应用程序的擦除和重新写入。此外,嵌入式系统应具有较大的程序存储空间和较快的运行速度,以便能够存储和运算比较复杂的软件算法。

  C8051F023属于Cygnal公司的C8051F系列。该芯片内核CIP-51采用了流水线指令结构,速度最高可达25MIPS(Million Instructions Per Second,每秒百万条指令),且70%的指令可在1“2个系统时钟周期内完成,这为嵌入式设备采用复杂的算法提供了必要的条件。同时芯片内部集成了容量达64KB的Flash存储器,用于程序代码和非易失性数据的存储,可由软件使用MOVX指令对Flash存储器进行在系统编程。

  通用计算机具有完善的人机接口界面,在增加一些开发应用程序和即可进行对自身的开发。而嵌入式系统本身不具备自举开发能力,因此必须有一套开发工具和才能进行开发,这些工具和一般是基于通用计算机上的软硬件设备以及各种逻辑分析仪、混合信号示波器等。图1给出的就是一种基于通用计算机平台的软件注入实现方案。

  由图1可以看出,为了实现软件注入,除了具备运行在通用计算机平台上的相关开发工具(例如VC++、VB、Delphi等)外,还必须制订软件注入规程和研制软件注入设备。注入规程包括嵌入式系统和注入设备的物理接口机械特性和电气特性、具有口令字校验功能和差错控制机制的通信协议等;注入设备分为注入卡和注入枪,前者采用通用计算机的标准接口如RS232、USB等与通用计算机互连,用于将软件程序输入到注入枪,也可直接对嵌入式设备注入,后者为移动式注入设备,便于为不在本地的嵌入式系统完成软件的升级服务。

  在制订了软件注入规程并拥有了相应注入设备后,还需要解决新注入程序与MCU中的固化程序的连接问题,以实现新注入代码的功能。图2给出了基于C8051F023的一种解决方案。

  该方案是一个基于MCU所实现的功能模块化方案,在固化在Flash中的主程序模块和引导装入模块的支持下,模块1、模块2、模块3等均可实现程序代码的更新。方案中的主程序模块完成MCU的初始化工作以及可注入模块所需的一些默认设置,而不可用扇区和保留扇区是C8051F023的特性。前者提供了芯片的安全选项,但不支持应用程序在系统可编程;后者为工厂专用,不能存储用户程序。

  在0x1000”0xFBFF的地址空间内,每个模块为具有某一功能的相对的软件代码,其所占的地址空间可依据程序代码的大小通过伪指令来定义和修改。当存储器容量较大时,剩余的地址空间可作为保留,用于存储新增加的功能模块代码。

  通常MCU的中断向量位于主程序模块的地址空间内且是固定不变的(C8051F023的中断向量地址为0x0000~0x00AB)为了能够使用硬件中断资源(比如UART定时器等)以及确保所有功能模块都能获得调用,需要统一定义中断服务程序(ISR)和所有功能模块(包括保留地址空间)的入口地址和地址空间范围,这是实现新注入软件与固化软件之间连接的唯一途经。在开发新的可注入软件模块时必须遵守这一,如果入口地址不一致,新的软件模块将得不到调用;如果软件模块太大以至超出了的地址空间范围,新的软件模块将会占用相邻模块的地址空间,从而影响后者的调用和功能实现。此外,在编写软件注入模块时还要注意以下两点。

  ① 在写入新的软件代码之前,需要将程序存储器中原来的数据擦除。由于C8051F023的Flash存储器是以大小为512B(用十六进制表示为200H)的扇区为单位组织的,一次擦除操作将删除整个扇区,因此每个功能模块的地址空间必须是200H的整数倍。

  从图1可以看出,软件程序最终是以十六进制代码的形式驻留在软件注入枪或注入卡中的,因此软件程序的十六进制代码文件必不可少。然而,在C8051F023集成开发下,源程序文件经过编译后生成的二进制文件是不可读的,只能通过JTAG口下载到MCU中。对此,需要把开发中附带的DOS程序oh51.exe复制到与编译后的二进制文件相同的文件夹下,然后在DOS操作下利用该工具将生成的二进制文件转换成hex文件。然而,此时的hex文件仍是不可用的(如图3所示,这里假设文件名为example),因为它包含了行标识符号、代码地址、校验字符等非代码内容,并且由于ORG伪指令的使用使得软件代码的地址是不连续的,而通常采用的手段是将软件代码下载到连续的存储器空间,以简化通信协议的制订和引导装入程序的编写。针对这种情况作者编写了DOS程序v2.exe,利用该程序可将输入的hex文件统一转换成仅包含纯粹软件代码的codes.txt文件(如图4所示),同时生成的readme.txt文件给出了在注入软件时所需的一些参数(该参数与软件注入规程有关)。V2程序的功能具有通用性,可作为C8051F023集成开发的一部分,该程序使用Turbo C 2.0集成开发开发,其源代码见网站。

  软件注入技术是实现嵌入式系统软件升级的一种有效手段,在实施过程中需要采取诸如制订软件注入规程、研制软件注入设备并开发相应各类软件等一系列技术措施,且具有多种可行方案。本文给出了其中的一种实施方案(如图1所示),在论述了采用软件注入技术的优势和可行性后,针对采用C8051F023的嵌入式系统,讨论了基于C8051F023的软件注入实现方案和相关的一些问题,并编写了V2程序以完善C8051F023集成开发在实现软件注入方面的功能。

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  TPS51216 DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器,2A LDO,缓冲参考

  信息描述 The TPS51216 provides a complete power supply for DDR2, DDR3 and DDR3L memory systems in the lowest total cost and minimum space. It integrates a synchronous buck regulator controller (VDDQ) with a 2-A sink/source tracking LDO (VTT) and buffered low noise reference (VTTREF). The TPS51216 employs D-CAP™ mode coupled with 300 kHz/400 kHz frequencies for ease-of-use and st transient response. The VTTREF tracks VDDQ/2 within excellent 0.8% accuracy. The VTT, which provides 2-A sink/source peak current capabilities, requires only 10-μF of ceramic capacitance. In addition, adedicated LDO supply input is available.The TPS51216 provides rich useful functions as well as excellent power supply performance. It supports flexible power state control, placing VTT at high-Z in S3 and discharging VDDQ, VTT and VTTREF (soft-off) in S4/S5 state. Programmable OCL with low-side MOSFET RDS(...

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) I2C兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5175是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5175的游标设置可通过I²C兼容型数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5175不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5175提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。工作温度范围为−40°C至+125°C扩展...

  信息优势和特点 单通道、1024位分辨率 标称电阻:10 kΩ 50次可编程(50-TP)游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 单电源供电:2.7 V至5.5 V 双电源供电:±2.5 V至±2.75 V(交流或双极性工作模式) SPI兼容型接口 游标设置和存储器回读 上电时从存储器刷新 电阻容差存储在存储器中 薄型LFCSP、10引脚、3 mm x 3 mm x 0.8 mm封装 紧凑型MSOP、10引脚、3 mm × 4.9 mm × 1.1 mm封装产品详情AD5174是一款单通道1024位数字变阻器,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。 该器件既可以采用±2.5 V至±2.75 V的双电源供电,也可以采用2.7 V至5.5 V的单电源供电,并提供50次可编程(50-TP)存储器。AD5174的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入50-TP存储器之前,可进行无限次调整。AD5174不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供50次永久编程的机会。在50-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将电阻固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5174提供3 mm × 3 mm 10引脚LFCSP和10引脚MSOP两种封装。工作温度范围为−40°C至+125°C扩展工业...

  AD5292 单通道、1%端到端电阻容差(R-TOL)、1024位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ、50 kΩ和100 kΩ 标称电阻容差误差(电阻性能模式):±1%(最大值) 20次可编程游标存储器 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 分压器温度系数:5 ppm/°C +9V至+33V单电源供电 ±9V至±16.5V双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 下载AD5292-EP (Rev 0)数据手册(pdf) 温度范围:−55°C至+125°C 受控制造基线 唯一封装/测试厂 唯一制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/12616 DSCC图纸号产品详情AD5292是一款单通道1024位数字电位计1,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件能够在宽电压范围内工作,支持±10.5 V至±16.5 V的双电源供电和+21 V至+33 V的单电源供电,同时确保端到端电阻容差误差小于1%,并具有20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291和AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机...

  AD5291 单通道、1%端到端电阻容差(R-Tol)、256位数字电位计,具有20次可编程存储器

  信息优势和特点 单通道、256/1024位分辨率 标称电阻:20 kΩ, 50 kΩ和 100 kΩ 校准的标称电阻容差:±1%(电阻性能模式) 20次可编程 温度系数(变阻器模式):35 ppm/°C 温度系数(分压器模式):5 ppm/°C +9 V 至 +33 V 单电源供电 ±9 V至±16.5 V 双电源供电 欲了解更多特性,请参考数据手册 产品详情AD5291/AD5292属于ADI公司的digiPOT+™ 电位计系列,分别是单通道256/1024位数字电位计1 ,集业界领先的可变电阻性能与非易失性存储器(NVM)于一体,采用紧凑型封装。这些器件的工作电压范围很宽,既可以采用±10.5 V至±16.5 V双电源供电,也可以采用+21 V至+33 V单电源供电,同时端到端电阻容差误差小于1%,并提供20次可编程(20-TP)存储器。业界领先的低电阻容差误差特性可以简化开环应用,以及精密校准与容差匹配应用。AD5291/AD5292的游标设置可通过SPI数字接口控制。将电阻值编程写入20-TP存储器之前,可进行无限次调整。这些器件不需要任何外部电压源来帮助熔断熔丝,并提供20次永久编程的机会。在20-TP激活期间,一个永久熔断熔丝指令会将游标固定(类似于将环氧树脂涂在机械式调整器上)。AD5291/AD52...

  信息优势和特点 四通道、64位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1 存储游标设置,并具有写功能 上电恢复至EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多信息,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 四通道、256位分辨率 1 kΩ, 10 kΩ, 50 kΩ, 100 kΩ 非易失性存储器1存储游标设置,并具有写功能 上电恢复为EEMEM设置,刷新时间典型值为300 µs EEMEM重写时间:540 µs(典型值) 电阻容差存储在非易失性存储器中 EEMEM提供12个额外字节,可存储用户自定义信息 I2C兼容型串行接口 直接读/写RDAC2 和EEMEM寄存器 预定义线性递增/递减命令 预定义±6 dB阶跃变化命令 欲了解更多特性,请参考数据手册产品详情AD5253/AD5254分别是64/256位、四通道、I2C®, 采用非易失性存储器的数字控制电位计,可实现与机械电位计、调整器和可变电阻相同的电子调整功能。AD5253/AD5254具有多功能编程能力,可以提供多种工作模式,包括读写RDAC和EEMEM寄存器、电阻的递增/递减、电阻以±6 dB的比例变化、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。主控I2C控制器可以将任何64/256步游标设置写入RDAC寄存器,并将其存储在EEMEM中。存储设置之后,系统上电时这些设置将自动恢复至RDAC寄存器;也可以动态恢复这些设置。在同步或异步通...

  信息优势和特点 非易失性存储器可保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写 数据保留期限:100年(典型值, TA = 55°C )产品详情AD5252是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有256位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄...

  信息优势和特点 非易失性存储器保存游标设置 电阻容差存储在非易失性存储器中 1 k Ω, 10 k Ω, 50 k Ω 100 k Ω I2C 兼容型串行接口 游标设置回读功能 线性递增/递减预定义指令 ±6 dB对数阶梯式递增/递减预定义指令 单电源:2.7 V至5.5 V 逻辑操作电压:3 V至5 V 上电复位至EEMEM设置,刷新时间小于1 ms 非易失性存储器写 数据保持能力:100年(典型值,TA = 55°C )产品详情AD5251是一款双通道、数字控制可变电阻(VR),具有64位分辨率。它可实现与电位计或可变电阻相同的电子调整功能。该器件通过微控制器实现多功能编程,可以提供多种工作与调整模式。在直接编程模式下,可以从微控制器直接加载RDAC寄存器的预设置。在另一种主要工作模式下,可以用以前存储在EEMEM寄存器中的设置更新RDAC寄存器。当更改RDAC寄存器以确立新的游标位时,可以通过执行EEMEM保存操作,将该设置值保存在EEMEM中。一旦将设置保存在EEMEM寄存器之后,这些值就可以自动传输至RDAC寄存器,以便在系统上电时设置游标位。这种操作由内部预设选通脉冲使能;也可以从外部访问预设值。基本调整模式就是在游标位设置(RDAC)寄存器...

  信息优势和特点 双通道、1024位分辨率 标称电阻:25 kΩ、250 kΩ 标称电阻容差误差:±8%(最大值) 低温度系数:35 ppm/°C 2.7 V至5 V单电源或±2.5 V双电源 SPI兼容型串行接口 非易失性存储器存储游标设置 加电刷新EEMEM设置 永久性存储器写 电阻容差储存于EEMEM中 26字节额外非易失性存储器,用于存储用户定义信息 1M编程周期 典型数据保留期:100年 下载AD5235-EP数据手册 (pdf) 温度范围:-40℃至+125°C 受控制造基线 一个装配/测试厂 一个制造厂 增强型产品变更通知 认证数据可应要求提供 V62/11605 DSCC图纸号产品详情AD5235是一款双通道非易失性存储器1、数控电位计2,拥有1024阶跃分辨率,最大低电阻容差误差为±8%。该器件可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和出色的低温度系数性能。通过SPI®-兼容串行接口,AD5235具有灵活的编程能力,支持多达16种工作模式和调节模式,其中包括暂存编程、存储器存储和恢复、递增/递减、±6 dB/阶跃对数抽头调整和游标设置回读,同时提供额外的EEMEM1 ,用于存储用户定义信息,如其他元件的存储器数据、查找表、系统标识信息等。...

  信息优势和特点 1024位分辨率 非易失性存储器保存游标设置 上电时利用EEMEM设置刷新 EEMEM恢复时间:140 µs(典型值) 完全单调性工作 端接电阻:10 kΩ、50 kΩ、100 kΩ 永久存储器写 游标设置回读功能 预定义线性递增/递减指令 预定义±6 dB/步对数阶梯式递增/递减指令 SPI®兼容型串行接口 3 V至5 V单电源或±2.5 V双电源供电产品详情AD5231是一款采用非易失性存储器*的数字控制电位计**,提供1024阶分辨率。它可实现与机械电位计相同的电子调整功能,而且具有增强的分辨率、固态可靠性和遥控能力。该器件功能丰富,可通过一个标准三线式串行接口进行编程,具有16种工作与调整模式,包括便笺式编程、存储器存储与恢复、递增/递减、±6 dB/步对数阶梯式调整、游标设置回读,并额外提供EEMEM用于存储用户自定义信息,如其它器件的存储器数据、查找表或系统识别信息等。在便笺式编程模式下,可以将特定设置直接写入RDAC寄存器,以设置端子W–A与端子W–B之间的电阻。此设置可以存储在EEMEM中,并在系统上电时自动传输至RDAC寄存器。EEMEM内容可以动态恢复,或者通过外部PR选通脉冲予以恢复;WP功能则可EE...

  28是一个EEPROM串行128-Kb SPI器件,内部组织为16kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25128设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写功能,包括部分和全部阵列。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V操作 硬件和软件 低功耗CMOS技术 SPI模式(0,0& 1,1) 工业温度范围 自定时写周期 64字节页面写缓冲区 块写 - 1 / 4,1 / 2或所有EEPROM阵列 1,000,000计划/时代se周期 100年数据保留 8引脚SOIC,TSSOP和8焊盘TDFN,UDFN封装 此设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准 其他识别具有永久写的页面 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电图、引脚图和封装图...

  56是一个EEPROM串行256-Kb SPI器件,内部组织为32kx8位。它具有64字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25256设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写功能,包括部分和全部阵列。 片上ECC(纠错码)使该器件适用于高可靠性应用。 适用于新产品(Rev. E)。 特性 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0)& (1,1) 64字节页面写缓冲区 具有永久写的附加标识页(新产品) 自定时写周期 硬件和软件 100年数据保留期 1,000,000个程序/擦除周期 低功耗CMOS技术 块写 - 1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 工业温度范围 8引脚SOIC ,TSSOP和8焊盘UDFN封装 此器件无铅,无卤素/ BFR,以及符合RoHS标准 应用 汽车系统 Communica tions Systems 计算机系统 消费者系统 工业系统 ...

  信息 CAT25040是一个4-kb SPI串行CMOS EEPROM器件,内部组织为512x8位。安森美半导体先进的CMOS技术大大降低了器件的功耗要求。它具有16字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。该器件通过片选()启用。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 输入可用于暂停与CAT25040设备的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写功能,包括部分和全部阵列。 20 MHz(5 V)SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0和1,1) 16字节页面写入缓冲区 自定时写入周期 硬件和软件 块写 - 1 / 4,1 / 2或整个EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000编程/擦除周期 100年数据保留 工业和扩展温度范围 PDIP,SOIC,TSSOP 8引脚和TDFN,UDFN 8焊盘封装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  60是一个EEPROM串行16-Kb SPI器件,内部组织为2048x8位。它们具有32字节页写缓冲区,并支持串行外设接口(SPI)协议。通过片选( CS )输入使能器件。此外,所需的总线信号是时钟输入(SCK),数据输入(SI)和数据输出(SO)线。 HOLD 输入可用于暂停与CAT25160设备的任何串行通信。这些器件具有软件和硬件写功能,包括部分和全部阵列。 特性 10 MHz SPI兼容 1.8 V至5.5 V电源电压范围 SPI模式(0,0& 1,1) 32字节页面写入缓冲区 自定时写周期 硬件和软件 块写 - 1 / 4,1 / 2或全部EEPROM阵列 低功耗CMOS技术 1,000,000个编程/擦除周期 100年数据保留 工业温度范围 符合RoHS标准的8引脚SOIC,T SSOP和8-pad UDFN软件包 应用 汽车系统 通讯系统 计算机系统 消费者系统 工业系统 电图、引脚图和封装图...

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