2021年 02月 03日 星期三
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学习51单片机体会

来源:未知     作者:威廉希尔     发布时间:2021-02-03 14:07         

  当你以后再也不使用51了,C语言的知识还在,算法的知识还在,搭建单片机的最小系统的技能还在,传感器和通信器件的使用方法还在,还会画电图和PCB图,当然也会仿线单片机是这个:

  7、当程序调试不如人意的时候,静下心来好好查资料,51单片机最大的好处就是网上资料非常多,你遇到的问题别人肯定也遇到过。作为学习者,问人可能更方便点,但一直这样是培养不出解决问题的能力的。

  8、有些单片机初学者觉得看例程不好,觉得就等于看答案一样有感。其实对初学者来说,看例程、理解例程、再看例程的注解是最好的学习途径。做实验、做课程设计、做参赛作品的时候也是可以移植程序的,不需要自己重新实现(当然老师布置的作业还是完成好)。

  但是,要清楚,移植程序不等于学习单片机,最重要的是知道例程是怎样的框架及实现方法。初始化了哪些寄存器,做了哪些引脚配置,调用了哪些函数,那些函数又是怎么实现的,设置了哪些中断,用到了哪些片上资源(

  ADC等),查询了哪些状态,如果状态变化(触发事件)又会做些什么等等。由此整理出一个流程图并知道其实现方式,基本上这个例程就学习得差不多了。总结51单片机上拉

  截至市没有电流流通的径,更谈不上驱动了。这个跟单片机P0口加上拉电阻的原理一样。2.提高高电平电位

  。实验中遇到的问题:当接入ULN2003时键盘无法工作,去掉ULN2003后键盘工作正常,ULN2003工作正常。(注:两个部分不同时工作)

  问题分析:由于键盘的结构,无非就是两个金属片的接通或断开,但是接入ULN2003后无法正常工作,说明是接入ULN2003影响到了P1口电平的变化。用

  测的电压,当单片机输出高电平时,P1.0~P1.3电压1V左右,P1.4~P1.7电压4.3V左右,于是测AT89s52高低电平的判决电位,在1.3V左右。这样P1.0~P1.3始终是低电平,键盘根本无法实现扫描功能。解决方法:只要抬高P1口高电平时的电位,就可以正常工作。

  (2)给P1口接上拉电阻,跟P1口内部电阻并联,减小上拉电阻阻值,减小分得的电压,从而抬高P0口高电平电位。

  实验的时候,数据线口,无法正常工作,不显示字符。但是乱动一下数据线就可以完成显示,但是显示现象并不正常,字符不是一次写入,而是乱动几次才能写完全部内容,正常应该一次全部显示。原因是由于我的P0口中有六个端口都外接并联三个发光二极管。,因为从资料上查到,P0口每一个端口最大可以吸收10mA电流,总电流不能超过26mA电流。这样算我的总电流已经到了40mA,所以怀疑是驱动的问题,于是去掉了几个二极管,显示一切正常。似乎问题已经解决,但总觉得还是有点问题,于是又经过几次试验,发现只有当P0.7端口的并联二极管去掉一个,再在其他端口接上一个发光二极管,此时也可以正常显示。但是这样P0口吸收电流在38mA,也超过了26mA不少,所以不是吸收电流太大的问题。仔细分析当端口并联外接三个二极管的时候等效于加了一个700欧左右的电阻,于是把二极管去掉换成一个1k欧电阻,液晶也无法显示。经过仔细分析,我认为,由于P0.7是液晶忙信号的返回线,当这个端口返回高电平时,说明液晶正在处理数据,无法接收新的数据,返回0时说明空闲,可以接收新数据。

  这样当上拉电阻太小了,液晶返回低电平时就有可能高过1.3V(AT89s52高低电平的判决电位),单片机接收到后,不会当作低电平,当然也就无法显示了(程序设计的时检测到忙信号,继续检测)。

  总结:上拉电阻选择也有要求,既不是越高越好也不是越低越好,得根据需要选择。这可能也叫,匹配吧。

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  这些20位透明D型锁存器具有同相三态输出,专为驱动高电容或相对低负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 ?? ABT162841器件可用作两个10位锁存器或一个20位锁存器。锁存使能(1LE或2LE)输入为高电平时,相应的10位锁存器的Q输出跟随数据(D)输入。当LE变为低电平时,Q输出锁存在D输入设置的电平。 缓冲输出使能(10E或2OE)输入可用于放置输出。相应的10位锁存器处于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。 输出设计为吸收高达12 mA的电流,包括等效的25- 用于减少过冲和下冲的电阻。 这些器件完全适用于使用I的热插入应用关闭并启动3状态。 Ioff电禁用输出,防止在断电时损坏通过器件的电流回流。上电和断电期间,上电三态电将输出置于高阻态,从而防止驱动器冲突。 为确保上电或断电期间的高阻态, OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 OE \不影响锁存器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据...SN74ALVTH16821 具有三态输出的 2.5V/3.3V 20 位总线位总线 VVCC操作,但能够为5 V系统提供TTL接口。 这些器件可用作两个10位触发器或一个20位触发器。 20位触发器是边沿触发的D型触发器。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在D输入端设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将10个输出置于正常逻辑状态(高电平或低电平)或高阻态。在高状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 SN54ALVTH16821的特点是可在-55C至125C的整个军用温度范围内工作。 SN74ALVTH16821的工作温度范围为-40&de...

  SN74ALVTH16374 具有三态输出的 2.5V/3.3V 16 位边沿 D 类触发器ALVTH16374器件是16位边沿触发D型触发器,具有3态输出,设计用于2.5V或3.3VV

  CC 操作,但能够为5 V系统提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位翻转器。翻牌。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 提供有源总线保持电,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 /p>

  CC 操作,但能够为5 V系统提供TTL接口。这些器件特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 这些器件可用作两个8位触发器或一个16位翻转器。翻牌。在时钟(CLK)的正跳变时,触发器存储在数据(D)输入处设置的逻辑电平。 缓冲输出使能(OE)输入可用于将8个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE不影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 提供有源总线保持电,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 /p当VCC介于0和1.2 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保1.2 V以上的高阻态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 SN54ALVTH16374的特点是在-55C至125C的整个军用温度...SN74ABTH16823 具有三态输出的 18 位总线态输出,专为驱动高电容或相对低负载而设计。它们特别适用于实现更宽的缓冲寄存器,I /O端口,带奇偶校验的双向总线驱动器和工作寄存器。 ABTH16823可用作两个9位触发器或一个18位触发器。当时钟使能(CLKEN \)输入为低电平时,D型触发器在时钟的低到高转换时输入数据。将CLKEN \置为高电平会禁用时钟缓冲器,锁存输出。将清零(CLR \)输入置为低电平会使Q输出变为低电平,与时钟无关。 缓冲输出使能(OE \)输入可用于将9个输出置于正常逻辑状态(高或低逻辑电平)或高阻态。在高状态下,输出既不会加载也不会显着驱动总线。高状态和增加的驱动提供了驱动总线的能力,而无需接口或上拉组件。 OE \不会影响触发器的内部操作。当输出处于高阻态时,可以保留旧数据或输入新数据。 当VCC介于0和2.1 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻态。但是,为了确保2.1 V以上的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到VCC;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。 提供有源总线保持电,用于保持有效逻辑电平的未使用或浮动数据输入。 ...

  SNxAHCT16373器件是16位透明D型锁存器,具有3态输出,专为驱动高电容或相对低负载而设计。它们特别适用于实现缓冲寄存器,I /O端口,双向总线驱动器和工作寄存器。 特性 仪器Widebus系列的 EPIC(增强型高性能注入CMOS)工艺 输入兼容TTL电压 分布式VCC和GND引脚最大限度地提高高速 开关噪声 流通式架构优化PCB布局 每个JESD的闩锁性能超过250 mA 17 ESD每个MIL-STD超过2000 V- 883, 方法3015;使用机器型号超过200 V(C = 200 pF,R = 0) 封装选项包括: 塑料收缩小外形(DL)封装薄收缩小外形(DGG)封装 薄超小外形(DGV)封装 80-mil精细间距陶瓷扁平(WD)封装 25密耳的中心间距 参数 与其它产品相比D 类锁存器 ...

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